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  • KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering
  • Volume 36(5); 2003
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KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering 2003;36(5):418-422. Published online: Nov, 30, -0001

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BCl$_3$ 기반 가스를 이용한 GaAs의 고밀도 평판형 유도결합 플라즈마 식각

  • 임완태;백인규;유승열;이제원;조관식;전민현;;
    인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소;인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소;인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소;인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소;인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소;인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소;;
초록

평판형 유도결합 플라즈마 식각장비(inductively coupled plasma etcher)를 이용하여 각종 공정조건들에 따른 GaAs의 식각특성을 연구하였다. 공정변수들은 ICP 소스파워(0-500 W), RIE 척파워(0-150 W), 가스 종류($BCl_3$, $BCl_3$/Ar, $BCl_3$/Ne) 및 가스혼합비였다. $BCl_3$ 가스만을 이용하여 GaAs를 식

키워드 유도 결함 플라즈마;건식 식각;