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Vol.57 No.4

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  • KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering
  • Volume 39(3); 2006
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KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering 2006;39(3):137-141. Published online: Nov, 30, -0001

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Dual-frequency $CH_2F_2/H_2/Ar$ capacitively coupled plasma를 이용한 실리콘질화물과 ArF PR의 무한 선택비 식각 공정

  • 박창기;이춘희;김희대;이내응;
    성균관대학교 신소재공학부;성균관대학교 신소재공학부;성균관대학교 신소재공학부;성균관대학교 신소재공학부;
초록

Process window for infinite etch selectivity of silicon nitride $(Si_3N_4)$ layers to ArF photoresist (PR) was investigated in dual frequency superimposed capacitive coupled plasma (DFS-CCP) by varying the process parameters such as low frequen

키워드 Etch;Nitride;CCP;ArF PR;Dual frequency;