Aug, 31, 2024

Vol.57 No.4

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  • KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering
  • Volume 41(1); 2008
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KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering 2008;41(1):1-5. Published online: Nov, 30, -0001

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DOI : 10.5695/JKISE.2008.41.1.001

유연성 유기 박막트랜지스터 적용을 위한 다층 게이트 절연막의 전기적 및 기계적 특성 향상 연구

  • 노화영;설영국;김선일;이내응;
    성균관대학교;성균관대학교;성균관대학교;성균관대학교;
초록

In this work, improvement of mechanical and electrical properties of gate dielectric layer for flexible organic thin film transistor (OTFT) devices was investigated. In order to increase the mechanical flexibility of PVP (poly(4-vinyl phenol) organic gate

키워드 Organic thin film transistor;Pentacene;Organic/inorganic laminated gate dielectric;Hafnium oxide [$HfO_2$];Flexible devices;