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- KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering
- Volume 41(1); 2008
- Article
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KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering 2008;41(1):12-15. Published online: Nov, 30, -0001
DOI : 10.5695/JKISE.2008.41.1.012
ZnO 나노와이어를 이용한 FET 소자 제작 및 특성 평가
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충북대학교 공과대학 신소재공학과;충북대학교 공과대학 신소재공학과;충북대학교 공과대학 신소재공학과;한국화학연구원 융합바이오연구센터;한국화학연구원 융합바이오연구센터;충북대학교 공과대학 화학공학과;
초록
The zinc oxide(ZnO) nanowires were deposited on Si(001) substrates by thermal chemical vapour deposition without any catalysts. SEM data suggested that the grown nanostructures were the well-aligned ZnO single crystals with preferential orientation. Back-
키워드 ZnO nanowire;FET;Thermal CVD;