Aug, 31, 2024

Vol.57 No.4

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  • KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering
  • Volume 41(3); 2008
  • Article

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KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering 2008;41(3):83-87. Published online: Nov, 30, -0001

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DOI : 10.5695/JKISE.2008.41.3.083

유도 결합 플라즈마를 이용한 TiN 박막의 식각 특성

  • 엄두승;강찬민;양성;김동표;김창일;
    중앙대학교 전자전기공학부;중앙대학교 전자전기공학부;중앙대학교 전자전기공학부;중앙대학교 전자전기공학부;중앙대학교 전자전기공학부;
초록

This study described the effects of RF power, DC bias voltage, chamber pressure and gas mixing ratio on the etch rates of TiN thin film and selectivity of TiN thin film to $SiO_2$ with $BCl_3$/Ar gas mixture. When the gas mixing rati

키워드 Etching;TiN;Plasma;ICP$BCl_3$;/Ar;