Aug, 31, 2024

Vol.57 No.4

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  • KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering
  • Volume 41(4); 2008
  • Article

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KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering 2008;41(4):142-146. Published online: Nov, 30, -0001

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DOI : 10.5695/JKISE.2008.41.4.142

DC 마그네트론 스터링법을 이용하여 증착한 Ga, Al, In 첨가 ZnO 박막의 특성

  • 박상은;박세훈;;송풍근;
    부산대학교 재료공학부;부산대학교 재료공학부;부산대학교 재료공학부;부산대학교 재료공학부;
초록

Trivalent ions(Ga, Al, In) doped ZnO films were deposited by DC magnetron sputtering on non-alkali glass substrate at substrate temperature of $300^{circ}C$. We used the different three types of high density($95%{sim}$) ceramic sinte

키워드 TCO;AZO;GZO;ZIO;Magnetron sputtering;Zinc oxide;Ionic radius;