Aug, 31, 2024

Vol.57 No.4

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  • KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering
  • Volume 41(5); 2008
  • Article

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KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering 2008;41(5):189-193. Published online: Nov, 30, -0001

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DOI : 10.5695/JKISE.2008.41.5.189

CH4 플라즈마에 따른 TiN 박막 표면의 식각특성 연구

  • 우종창;엄두승;김관하;김동표;김창일;
    중앙대학교 전자전기공학부;중앙대학교 전자전기공학부;중앙대학교 전자전기공학부;중앙대학교 전자전기공학부;중앙대학교 전자전기공학부;
초록

In this study, we carried out an investigation of the etching characteristics (etch rate, selectivity to $SiO_2$ and $HfO_2$) of TiN thin films in the $CH_4$/Ar inductively coupled plasma. The maximum etch rate of $27

키워드 Etch;TiN;Inductively Coupled Plasma;surface;