Aug, 31, 2024

Vol.57 No.4

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  • KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering
  • Volume 42(4); 2009
  • Article

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KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering 2009;42(4):169-172. Published online: Nov, 30, -0001

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DOI : 10.5695/JKISE.2009.42.4.169

Metal 게이트 전극을 위한 TiN 박막의 건식 식각 특성

  • 엄두승;우종창;박정수;김창일;
    중앙대학교 전자전기공학부;중앙대학교 전자전기공학부;중앙대학교 전자전기공학부;중앙대학교 전자전기공학부;
초록

We investigated the dry-etching mechanism of the TiN thin film using a $Cl_2$/Ar inductively coupled plasma system. To understand the effect of the $Cl_2$/Ar gas mixing ratio, we etched the TiN thin film by varying $Cl_2$/

키워드 Etching;TiN;Plasma;ICP;$Cl_2$/Ar;