Aug, 31, 2024

Vol.57 No.4

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  • KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering
  • Volume 42(6); 2009
  • Article

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KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering 2009;42(6):251-255. Published online: Nov, 30, -0001

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DOI : 10.5695/JKISE.2009.42.6.251

유도 결합 플라즈마를 이용한 TaN 박막의 건식 식각 특성 연구

  • 엄두승;김승한;우종창;김창일;
    중앙대학교 전자전기공학부;중앙대학교 전자전기공학부;중앙대학교 전자전기공학부;중앙대학교 전자전기공학부;
초록

In this study, the plasma etching of the TaN thin film with $O_2/BCl_3$/Ar gas chemistries was investigated. The equipment for the etching was an inductively coupled plasma (ICP) system. The etch rate of the TaN thin film and the selectivity of

키워드 Etch;TaN;Plasma;ICP;$BCl_3$/Ar;$O_2$;