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- KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering
- Volume 42(6); 2009
- Article
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KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering 2009;42(6):256-259. Published online: Nov, 30, -0001
DOI : 10.5695/JKISE.2009.42.6.256
기판 온도에 따른 Cl2/BCl3/Ar 플라즈마에서 ZrO2 박막의 건식 식각
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중앙대학교 전자전기공학부;중앙대학교 전자전기공학부;중앙대학교 재생에너지학과;중앙대학교 전자전기공학부;중앙대학교 전자전기공학부;
초록
The wafer surface temperature is an important parameter in the etching process which influences the reaction probabilities of incident species, the vapor pressure of etch products, and the re-deposition of reaction products on feature surfaces. In this st
키워드
Etch;