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- KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering
- Volume 43(3); 2010
- Article
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KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering 2010;43(3):121-126. Published online: Nov, 30, -0001
DOI : 10.5695/JKISE.2010.43.3.121
양극산화 시간 및 전류밀도 변화에 따른 다공질 실리콘의 특성 변화
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인제대학교 나노메뉴팩처링연구소 나노시스템공학과;인제대학교 나노메뉴팩처링연구소 나노시스템공학과;인제대학교 나노메뉴팩처링연구소 나노시스템공학과;인제대학교 나노메뉴팩처링연구소 나노시스템공학과;인제대학교 나노메뉴팩처링연구소 나노시스템공학과;인제대학교 나노메뉴팩처링연구소 나노시스템공학과;삼성 LED;전북대학교 신소재공학부;영남대학교 물리학과;인제대학교 나노메뉴팩처링연구소 나노시스템공학과;
초록
The PS(porous Si) were fabricated with different anodization time and current density. The structural and optical properties of PS were investigated by SEM(scanning electron microscopy), AFM(atomic force microscopy), and PL(photoluminescence). It is found
키워드 Porous Si;Anodization;Photoluminescence;Scanning electron microscopy;