Aug, 31, 2024

Vol.57 No.4

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  • KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering
  • Volume 45(1); 2012
  • Article

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KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering 2012;45(1):15-19. Published online: Nov, 30, -0001

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DOI : 10.5695/JKISE.2012.45.1.015

NEXAFS 분광법에 의한 Alq3/Ba과 Alq3/Au의 계면에서의 전자 천이에 관한 연구

  • 임수용;주성후;양재웅;
    대진대학교 신소재공학과;대진대학교 신소재공학과;대진대학교 신소재공학과;
초록

Tris(8-quinolinolato)aluminum(III); $Alq_3$ has been frequently used as an electron transporting layer in organic light-emitting diodes. Either Ba with a low work function or Au with a high work function was deposited on $Alq_3$ laye

키워드 NEXAFS spectroscopy;OLED;Electronic structure;Electron transfer;$Alq_3$/Ba;$Alq_3$/Au;