Aug, 31, 2024

Vol.57 No.4

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  • KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering
  • Volume 46(4); 2013
  • Article

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KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering 2013;46(4):145-152. Published online: Nov, 30, -0001

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DOI : 10.5695/JKISE.2013.46.4.145

W 및 Ti 박막 위에서 나노결정질 다이아몬드의 성장 거동

  • 박동배;명재우;나봉권;강찬형;
    한국산업기술대학교 신소재공학과;한국산업기술대학교 신소재공학과;한국산업기술대학교 신소재공학과;한국산업기술대학교 신소재공학과;
초록

The growth behavior of nanocrystalline diamond (NCD) film has been studied for three different substrates, i.e. bare Si wafer, 1 ${mu}m$ thick W and Ti films deposited on Si wafer by DC sputter. The surface roughness values of the substrates me

키워드 Nanocrystalline diamond;Microwave plasma CVD;Sputtering;Tungsten;Titanium;Nucleation and growth;Contact angle;