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- KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering
- Volume 47(5); 2014
- Article
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KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering 2014;47(5):227-232. Published online: Nov, 30, -0001
DOI : 10.5695/JKISE.2014.47.5.227
대기압 플라즈마의 선택적 도핑 공정에서 온도에 의한 인(Phosphorus)의 확산연구
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광운대학교 전자바이오물리학과;광운대학교 전자바이오물리학과;광운대학교 전자바이오물리학과;광운대학교 전자바이오물리학과;광운대학교 화학과;광운대학교 전자바이오물리학과;광운대학교 전자바이오물리학과;광운대학교 전자바이오물리학과;
초록
In this study, we propose the application of doping process technology for atmospheric pressure plasma. The plasma treatment means the wafer is warmed via resistance heating from current paths. These paths are induced by the surface charge density in the
키워드 Atmospheric pressure plasma;Temperature;Phosphorus;Surface resistance;Charge density;Junction depth;IR(Infra-Red) image;