Aug, 31, 2024

Vol.57 No.4

최신논문 논문목록
논문검색
논문 상세 검색
학회 연락처

상세보기

  • KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering
  • Volume 53(3); 2020
  • Article

상세보기

KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering 2020;53(3):124-129. Published online: Nov, 30, -0001

PDF Full Text XML

DOI : 10.5695/JKISE.2020.53.3.124

차세대 메모리 디바이스Gap-Fill 공정 위한 공간 분할 PE-ALD개발 및 공정 설계

  • 이백주;황재순;서동원;최재욱;
    (주)한화 / 기계 부분 연구소;(주)한화 / 기계 부분 연구소;(주)한화 / 기계 부분 연구소;(주)한화 / 기계 부분 연구소;
초록

This study is for the development of high temperature ALD SiO2 film process, optimized for gap-fill process in manufacturing memory products, using a space-divided PE-ALD system equipped with an independent control dual plasma system and orbita

키워드 Space-Divided PEALD;Gap-Fill;Deposition;High aspect ratio;Inhibitor;