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- KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering
- Volume 25(5); 1992
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KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering 1992;25(5):271-281. Published online: Nov, 30, -0001
RF 스퍼터링으로 증착된 a-Si$_{1-x}$ C$_{x}$ : H 박막의 결합구조와 광학적 성질에 미치는 증착변수의 영향
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한국과학기술원 재료공학과;한국과학기술원 재료공학과;한국과학기술원 재료공학과;
초록
Amorphous hydrogenated silicon carbide(a-Si1-xCx : H) films have been prepared by the rf sputtering using a silicon target in a gas mixture of Argon and methane with varying methane gas flow rate(fCH) in the range of 1.5 to 3.5 sccm at constant Argon flow
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