Aug, 31, 2024

Vol.57 No.4

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  • KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering
  • Volume 25(6); 1992
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KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering 1992;25(6):287-292. Published online: Nov, 30, -0001

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전자 싸이클로트론 공명 플라즈마 화학 증착법에 의한 실리콘 질화막 형성 및 특성 연구

  • 김용진;김정형;송선규;장홍영;
    한국과학기술원 물리학과;한국과학기술원 물리학과;한국과학기술원 물리학과;한국과학기술원 물리학과;
초록

Silicon nitride thin film (SiNx) was deposited onto the 3inch silicon wafer using an electron cyclotron resonance (ECR) plasma apparatus. The thin films which were deposited by changing the SiH4N2 gas flow rate ratio at 1.5mTorr without substrate heating

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