Aug, 31, 2024

Vol.57 No.4

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  • KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering
  • Volume 31(2); 1998
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KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering 1998;31(2):117-126. Published online: Nov, 30, -0001

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C$_4$F$_8$/H$_2$ helicon were 플라즈마를 이용한 contact 산화막 식각 공정시 과식화된 실리콘 표면의 잔류막과 손상층 형성 및 이의 제거에 관항 연구

  • 김현수;이원정;백종태;염근영;
    성균관대학교 재료공학과;성균관대학교 재료공학과;한국전자통신연구소;성균관대학교 재료공학과;
초록

In this study, the residue remaining on the silicon wafer during the oxide overetching using $C_4F_8/H_2$ helicon were plasmas and effects of various cleaning and annealing methods on the removal of the remaining residue were investigated. The

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