Aug, 31, 2024

Vol.57 No.4

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  • KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering
  • Volume 33(2); 2000
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KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering 2000;33(2):101-106. Published online: Nov, 30, -0001

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실리콘 직접 접합을 위한 선형가열법의 개발 및 SOI 기판에의 적용

  • 이진우;강춘식;송오성;양철웅;
    서울대학교 재료공학부;서울대학교 재료공학부;시립대학교 재료공학과;성균관대학교 금속재료공학부;
초록

SOI (Silicon-On-Insulator) substrates were fabricated with varying annealing temperature of $25-660^{circ}C$ by a linear annealing method, which was modified RTA process using a linear shape heat source. The annealing method was applied to Si ∥

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