Aug, 31, 2024

Vol.57 No.4

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  • KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering
  • Volume 33(4); 2000
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KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering 2000;33(4):217-221. Published online: Nov, 30, -0001

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다결정 Si/ $SiO_2$II Si 적층구조에서 $SiO_2$∥ 층의 두께에 따른 유전특성의 변화

  • 송오성;이영민;이진우;
    서울시립대학교 재료공학과;서울시립대학교 재료공학과;서울시립대학교 재료공학과;
초록

The gate oxide thickness is becoming thinner and thinner in order to speed up the semiconductor CMOS devices. We have investigated very thin$ SiO_2$ gate oxide layers and found anomaly between the thickness determined with capacitance measureme

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